Recenze GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

1 086 Kč
Zobrazit knihu

Recenze

0
Ověřené recenze jsou tak výslovně označené, ostatní jsou neověřené.
Nejsou zde žádné recenze. Buďte první a napište svoji!